1N4446TR
1N4446TR
Número de pieza:
1N4446TR
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15024 Pieces
Ficha de datos:
1N4446TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1V @ 20mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):100V
Paquete del dispositivo:DO-35
Velocidad:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):4ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-204AH, DO-35, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction:175°C (Max)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:1N4446TR
Descripción ampliada:Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Corriente - Fuga inversa a Vr:25nA @ 20V
Corriente - rectificada media (Io):200mA
Capacitancia Vr, F:4pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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