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1N4150TR
- Número de pieza:
- 1N4150TR
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17779 Pieces
- Ficha de datos:
- 1N4150TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1N4150TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1N4150TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1V @ 200mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 50V |
| Paquete del dispositivo: | DO-35 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Otros nombres: | 1N4150VSTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 175°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 7 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 1N4150TR |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 50V 300mA (DC) Through Hole DO-35 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100nA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 300mA (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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