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1N4150 TR
- Número de pieza:
- 1N4150 TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19879 Pieces
- Ficha de datos:
- 1N4150 TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1N4150 TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1N4150 TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1V @ 200mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 50V |
| Paquete del dispositivo: | DO-35 |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 6ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 200°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 1N4150 TR |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100nA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 200mA |
| Capacitancia Vr, F: | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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