1N4006G
1N4006G
Número de pieza:
1N4006G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19296 Pieces
Ficha de datos:
1N4006G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):800V
Paquete del dispositivo:Axial
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:DO-204AL, DO-41, Axial
Otros nombres:1N4006GOS
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:9 Weeks
Número de pieza del fabricante:1N4006G
Descripción ampliada:Diode Standard 800V 1A Through Hole Axial
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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