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1N4006 TR
- Número de pieza:
- 1N4006 TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12182 Pieces
- Ficha de datos:
- 1N4006 TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1N4006 TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1N4006 TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 1A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 800V |
| Paquete del dispositivo: | DO-41 |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 1N4006 TR |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 800V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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