1N3070
1N3070
Número de pieza:
1N3070
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16082 Pieces
Ficha de datos:
1N3070.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1V @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):200V
Paquete del dispositivo:DO-35
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):50ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:DO-204AH, DO-35, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction:175°C (Max)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:1N3070
Descripción ampliada:Diode Standard 200V 500mA Through Hole DO-35
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Corriente - Fuga inversa a Vr:100nA @ 175V
Corriente - rectificada media (Io):500mA
Capacitancia Vr, F:5pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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