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12F100B BN R Y
- Número de pieza:
- 12F100B BN R Y
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Opto Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 13002 Pieces
- Ficha de datos:
- 12F100B BN R Y.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 12F100B BN R Y, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 12F100B BN R Y por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.26V @ 38A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1000V (1kV) |
| Paquete del dispositivo: | DO-203AA |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres: | 12F100A 12F100B 12F100BBNRY 12F90A 12F90B |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 12F100B BN R Y |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1000V (1kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | - |
| Corriente - rectificada media (Io): | 12A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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