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10ETF12S
- Número de pieza:
- 10ETF12S
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 18686 Pieces
- Ficha de datos:
- 10ETF12S.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 10ETF12S, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 10ETF12S por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.33V @ 10A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-263AB (D²PAK) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 310ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | *10ETF12S VS-10ETF12S VS-10ETF12S-ND VS10ETF12S VS10ETF12S-ND |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 10ETF12S |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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