1014-12 - Microsemi Corporation - Transistores-bipolar (BJT)-RF 1014-12

1014-12

Número de pieza:: 1014-12

Fabricante:: Microsemi

Descripción:: TRANS RF BIPO 39W 5A 55LT1

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 18678 Pieces

Ficha de datos:: 1014-12.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	50V
Tipo de transistor:	NPN
Paquete del dispositivo:	55LT
Serie:	-
Potencia - Max:	39W
embalaje:	Bulk
Paquete / Cubierta:	55LT
Temperatura de funcionamiento:	200°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f):	-
Tipo de montaje:	Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	1014-12
Ganancia:	6.8dB
Frecuencia - Transición:	1GHz ~ 1.4GHz
Descripción ampliada:	RF Transistor NPN 50V 5A 1GHz ~ 1.4GHz 39W Chassis Mount 55LT
Descripción:	TRANS RF BIPO 39W 5A 55LT1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	10 @ 200mA, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max):	5A
Email:	[email protected]

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Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
2SC5096-R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS RF NPN 10V 1GHz SSM	Investigación
PRF949,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR NPN 10V 9GHZ SOT416	Investigación
HFA3127R	Intersil	IC TRANS ARRAY 5X NPN 16QFN	Investigación
BFU550XVL	NXP USA Inc.	TRANS RF NPN 12V 50MA SOT-143B	Investigación
1014-6A	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 19W 1A 55LV1	Investigación
2SC5752-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Investigación

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