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Los MOSFET de Toshiba tienen una estructura de abrazadera activa

Con el requisito de un mínimo de componentes externos, el SSM3K357R único y el SSM6N357R dual son adecuados para impulsar cargas inductivas, como relés mecánicos o solenoides.

La nueva serie 357 protege a los conductores contra posibles daños causados ​​por sobretensiones, como los causados ​​por los campos electromagnéticos de la carga inductiva. Integra un resistor desplegable, una resistencia en serie y un diodo Zener, lo que ayuda a reducir el recuento de partes externas y ahorrar espacio en PCB.

Toshiba-SSM3K357R mosfet protectedLos dispositivos soportan una tensión máxima de drenaje-fuente (VDSS) de 60 V y una corriente de drenaje máxima (Ire) de 0.65A. La baja resistencia a la fuente de drenaje (R)DS (ENCENDIDO)) de 800 mΩ en VGS= 5.0 V garantiza un funcionamiento eficiente con una generación de calor mínima.

El SSM3K357R solo se aloja en un paquete de clase SOT-23F de 2,9 x 2,4 x 0,8 mm, y es adecuado para el control de relés y solenoides debido al bajo voltaje de funcionamiento de 3,0 V. Como el dispositivo está calificado de acuerdo con AEC-Q101, es adecuado para aplicaciones automotrices y muchas industriales.

El SSM6N357R doble está alojado en un paquete de clase TSOP6F de 2,9 mm x 2,8 mm x 0,8 mm, que permite el uso de dos dispositivos en un tablero que requiere un 42% menos de área de montaje que el uso de dos de los dispositivos individuales.