La familia ahora está lista para aplicaciones actuales y futuras de carga a bordo (OBC) en vehículos híbridos y eléctricos. Infineon ha diseñado los diodos específicamente para cumplir con los altos requisitos de la industria automotriz en cuanto a confiabilidad, calidad y rendimiento.

"La tecnología SiC está madura para ser desplegada a gran escala en sistemas automotrices", dice Stephan Zizala de Infineon, "el lanzamiento de la familia de diodos Schottky CoolSiC automotriz es un hito en el despliegue de la cartera de productos de SiC de Infineon para el cargador a bordo, Convertidores CC / CC y sistemas inversores ".

La nueva familia de productos se basa en el diodo Schottky de quinta generación de Infineon, que se ha mejorado aún más para cumplir con los requisitos de fiabilidad exigidos por la industria del automóvil. Gracias a un nuevo concepto de capa de pasivación, este es el dispositivo automotriz más robusto disponible en el mercado en cuanto a humedad y corrosión.

Además, debido a que se basa en una tecnología de obleas delgadas de 110 μm, muestra una de las mejores cifras de mérito (Qc x Vf) en su categoría. Una menor cifra de mérito implica menores pérdidas de potencia y, por lo tanto, un mejor rendimiento eléctrico.

Comparado con el diodo Silicon Rapid tradicional, el diodo Schottky Automotive CoolSiC puede mejorar la eficiencia de un OBC en un punto porcentual en todas las condiciones de carga. Esto conduce a una reducción potencial de 200 kg de CO ₂ emisiones a lo largo de la vida útil típica de un automóvil eléctrico, basado en la combinación energética alemana.

El primer derivado estará disponible para el mercado abierto en septiembre de 2018 en la clase de 650V. Usando un paquete estándar de 3-pinTO247, los nuevos productos pueden implementarse fácilmente en un sistema OBC. Se pueden usar de manera óptima en combinación con los productos TRENCHSTOP IGBT y CoolMOS de Infineon.