SQJ951EP-T1_GE3
SQJ951EP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJ951EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15741 Pieces
Ficha de datos:
SQJ951EP-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:17 mOhm @ 7.5A, 10V
Potencia - Max:56W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres:SQJ951EP-T1-GE3
SQJ951EP-T1-GE3-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQJ951EP-T1_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 30A 56W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A
Email:[email protected]

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