AUIRF7313Q
AUIRF7313Q
Número de pieza:
AUIRF7313Q
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14795 Pieces
Ficha de datos:
AUIRF7313Q.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:29 mOhm @ 6.9A, 10V
Potencia - Max:2.4W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:8-SOIC
Otros nombres:SP001522556
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AUIRF7313Q
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:755pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.4W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.9A
Email:[email protected]

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