SQJ858AEP-T1_GE3
SQJ858AEP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJ858AEP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 58A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13916 Pieces
Ficha de datos:
SQJ858AEP-T1_GE3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SQJ858AEP-T1_GE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SQJ858AEP-T1_GE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SQJ858AEP-T1_GE3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:6.3 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo):48W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8
Otros nombres:SQJ858AEP-T1-GE3
SQJ858AEP-T1-GE3-ND
SQJ858AEP-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQJ858AEP-T1_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2450pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 58A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 58A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios