SQJ850EP-T1_GE3
SQJ850EP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJ850EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 24A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15762 Pieces
Ficha de datos:
SQJ850EP-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:23 mOhm @ 10.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):45W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8
Otros nombres:SQJ850EP-T1-GE3
SQJ850EP-T1-GE3-ND
SQJ850EP-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQJ850EP-T1_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1225pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 24A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 24A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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