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SQJ200EP-T1_GE3
- Número de pieza:
- SQJ200EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17297 Pieces
- Ficha de datos:
- SQJ200EP-T1_GE3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SQJ200EP-T1_GE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SQJ200EP-T1_GE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 8.8 mOhm @ 16A, 10V |
| Potencia - Max: | 27W, 48W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Otros nombres: | SQJ200EP-T1_GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SQJ200EP-T1_GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 975pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A, 60A |
| Email: | [email protected] |
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