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EFC6602R-A-TR
- Número de pieza:
- EFC6602R-A-TR
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH EFCP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17670 Pieces
- Ficha de datos:
- EFC6602R-A-TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EFC6602R-A-TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EFC6602R-A-TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 6-EFCP (2.7x1.81) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | - |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-XFBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | EFC6602R-A-TR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 55nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Característica de FET: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2W Surface Mount 6-EFCP (2.7x1.81) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH EFCP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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