SQ4284EY-T1_GE3
Número de pieza:
SQ4284EY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17981 Pieces
Ficha de datos:
SQ4284EY-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:13.5 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max:3.9W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SQ4284EY-T1-GE3
SQ4284EY-T1-GE3-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQ4284EY-T1_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 3.9W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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