SI7940DP-T1-GE3
SI7940DP-T1-GE3
Número de pieza:
SI7940DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19357 Pieces
Ficha de datos:
SI7940DP-T1-GE3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SI7940DP-T1-GE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SI7940DP-T1-GE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SI7940DP-T1-GE3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Potencia - Max:1.4W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres:SI7940DP-T1-GE3TR
SI7940DPT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI7940DP-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 7.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.6A
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios