SIA923EDJ-T1-GE3
SIA923EDJ-T1-GE3
Número de pieza:
SIA923EDJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17052 Pieces
Ficha de datos:
SIA923EDJ-T1-GE3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SIA923EDJ-T1-GE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SIA923EDJ-T1-GE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SIA923EDJ-T1-GE3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:54 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Potencia - Max:7.8W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Otros nombres:SIA923EDJ-T1-GE3TR
SIA923EDJT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SIA923EDJ-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 8V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios