FW217A-TL-2W
Número de pieza:
FW217A-TL-2W
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15544 Pieces
Ficha de datos:
FW217A-TL-2W.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:39 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max:2.2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:FW217A-TL-2W
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:470pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate, 4.5V Drive
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 6A 2.2W Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:35V
Descripción:MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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