SI8447DB-T2-E1
Número de pieza:
SI8447DB-T2-E1
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12203 Pieces
Ficha de datos:
SI8447DB-T2-E1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-Micro Foot™
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:75 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.77W (Ta), 13W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:6-MICRO FOOT™
Otros nombres:SI8447DB-T2-E1DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI8447DB-T2-E1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 11A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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