SI8445DB-T2-E1
SI8445DB-T2-E1
Número de pieza:
SI8445DB-T2-E1
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16719 Pieces
Ficha de datos:
SI8445DB-T2-E1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:850mV @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-Microfoot
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:84 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-XFBGA, CSPBGA
Otros nombres:SI8445DB-T2-E1TR
SI8445DBT2E1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI8445DB-T2-E1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 9.8A (Tc) 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.8A (Tc)
Email:[email protected]

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