SI5517DU-T1-E3
SI5517DU-T1-E3
Número de pieza:
SI5517DU-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14821 Pieces
Ficha de datos:
SI5517DU-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® ChipFet Dual
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Potencia - Max:8.3W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® ChipFET™ Dual
Otros nombres:SI5517DU-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI5517DU-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16nC @ 8V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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