SI5515CDC-T1-E3
SI5515CDC-T1-E3
Número de pieza:
SI5515CDC-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17772 Pieces
Ficha de datos:
SI5515CDC-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:800mV @ 250µA
Paquete del dispositivo:1206-8 ChipFET™
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:36 mOhm @ 6A, 4.5V
Potencia - Max:3.1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:SI5515CDC-T1-E3-ND
SI5515CDC-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI5515CDC-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:632pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11.3nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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