SI4965DY-T1-E3
Número de pieza:
SI4965DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16306 Pieces
Ficha de datos:
SI4965DY-T1-E3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SI4965DY-T1-E3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SI4965DY-T1-E3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SI4965DY-T1-E3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:450mV @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:21 mOhm @ 8A, 4.5V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI4965DY-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:55nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:8V
Descripción:MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios