SI4922BDY-T1-E3
Número de pieza:
SI4922BDY-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13238 Pieces
Ficha de datos:
SI4922BDY-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.8V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max:3.1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SI4922BDY-T1-E3TR
SI4922BDYT1E3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI4922BDY-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2070pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:62nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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