NTJD2152PT4G
NTJD2152PT4G
Número de pieza:
NTJD2152PT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19292 Pieces
Ficha de datos:
NTJD2152PT4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:300 mOhm @ 570mA, 4.5V
Potencia - Max:270mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTJD2152PT4G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:225pF @ 8V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:8V
Descripción:MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:775mA
Email:[email protected]

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