SI4892DY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4892DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14151 Pieces
Ficha de datos:
SI4892DY-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:800mV @ 250µA (Min)
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:12 mOhm @ 12.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI4892DY-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.5nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.8A (Ta)
Email:[email protected]

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