TK8A60W,S4VX
TK8A60W,S4VX
Número de pieza:
TK8A60W,S4VX
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13940 Pieces
Ficha de datos:
TK8A60W,S4VX.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.7V @ 400µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220SIS
Serie:DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:500 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):30W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres:TK8A60W,S4VX(M
TK8A60WS4VX
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK8A60W,S4VX
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:N-Channel 600V 8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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