SI4532ADY-T1-E3
Número de pieza:
SI4532ADY-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18430 Pieces
Ficha de datos:
SI4532ADY-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:53 mOhm @ 4.9A, 10V
Potencia - Max:1.13W, 1.2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SI4532ADY-T1-E3-ND
SI4532ADY-T1-E3TR
SI4532ADYT1E3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI4532ADY-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.7A, 3A
Email:[email protected]

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