ZXMP6A16DN8QTA
ZXMP6A16DN8QTA
Número de pieza:
ZXMP6A16DN8QTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17021 Pieces
Ficha de datos:
ZXMP6A16DN8QTA.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:85 mOhm @ 2.9A, 10V
Potencia - Max:1.81W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:ZXMP6A16DN8QTADITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:ZXMP6A16DN8QTA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1021pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24.2nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.9A 1.81W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A
Email:[email protected]

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