SI2309CDS-T1-E3
Número de pieza:
SI2309CDS-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14280 Pieces
Ficha de datos:
SI2309CDS-T1-E3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SI2309CDS-T1-E3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SI2309CDS-T1-E3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SI2309CDS-T1-E3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:345 mOhm @ 1.25A, 10V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta), 1.7W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:SI2309CDS-T1-E3-ND
SI2309CDS-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI2309CDS-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:210pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.1nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios