SI2301BDS-T1-GE3
Número de pieza:
SI2301BDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13949 Pieces
Ficha de datos:
SI2301BDS-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):700mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:SI2301BDS-T1-GE3-ND
SI2301BDS-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI2301BDS-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:375pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.2A (Ta)
Email:[email protected]

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