RFN10T2D
RFN10T2D
Número de pieza:
RFN10T2D
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16913 Pieces
Ficha de datos:
RFN10T2D.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:980mV @ 5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):200V
Paquete del dispositivo:TO-220FN
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):25ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento - Junction:150°C (Max)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RFN10T2D
Descripción ampliada:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack
Tipo de diodo:Standard
configuración de diodo:1 Pair Common Cathode
Descripción:DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):5A
Email:[email protected]

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