NTMSD6N303R2SG
Número de pieza:
NTMSD6N303R2SG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16279 Pieces
Ficha de datos:
NTMSD6N303R2SG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs:32 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:NTMSD6N303R2SG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 24V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Descripción ampliada:N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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