NTLJD4150PTBG
NTLJD4150PTBG
Número de pieza:
NTLJD4150PTBG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19449 Pieces
Ficha de datos:
NTLJD4150PTBG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-WDFN (2x2)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:135 mOhm @ 4A, 10V
Potencia - Max:700mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTLJD4150PTBG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 700mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A
Email:[email protected]

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