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NTLJD2105LTBG
- Número de pieza:
- NTLJD2105LTBG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13852 Pieces
- Ficha de datos:
- NTLJD2105LTBG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTLJD2105LTBG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTLJD2105LTBG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 6-WDFN (2x2) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 50 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 520mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTLJD2105LTBG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 8V 2.5A 520mW Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 8V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.5A |
| Email: | [email protected] |
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