NTJD1155LT1
NTJD1155LT1
Número de pieza:
NTJD1155LT1
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
18996 Pieces
Ficha de datos:
NTJD1155LT1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Potencia - Max:400mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTJD1155LT1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:8V
Descripción:MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.3A
Email:[email protected]

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