Comprar EPC2105ENGRT con BYCHPS
Compre con garantía
EPC2105ENGRT
- Número de pieza:
- EPC2105ENGRT
- Fabricante:
- EPC
- Descripción:
- MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18633 Pieces
- Ficha de datos:
- EPC2105ENGRT.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EPC2105ENGRT, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EPC2105ENGRT por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Potencia - Max: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | Die |
| Otros nombres: | 917-EPC2105ENGRTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | EPC2105ENGRT |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.5nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A Surface Mount Die |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción: | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.5A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de EPC2105ENGRT
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE | Investigación |
 |
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Investigación |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE | Investigación |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Investigación |
 |
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | Investigación |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | Investigación |
|
EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | Investigación |
|
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers