EPC2102ENG
EPC2102ENG
Número de pieza:
EPC2102ENG
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18788 Pieces
Ficha de datos:
EPC2102ENG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 7mA
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:4.4 mOhm @ 20A, 5V
Potencia - Max:-
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-EPC2102ENG
EPC2102ENGRH6
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:EPC2102ENG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.8nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A
Email:[email protected]

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