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MPSA13ZL1G
- Número de pieza:
- MPSA13ZL1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15920 Pieces
- Ficha de datos:
- MPSA13ZL1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MPSA13ZL1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MPSA13ZL1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 30V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 100µA, 100mA |
| Tipo de transistor: | NPN - Darlington |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 625mW |
| embalaje: | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres: | MPSA13ZL1G-ND MPSA13ZL1GOSTB MPSA13ZL1GOSTR MPSA13ZL1GOSTR-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | MPSA13ZL1G |
| Frecuencia - Transición: | 125MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 500mA 125MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Descripción: | TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 10000 @ 100mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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