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MJD31C1G
- Número de pieza:
- MJD31C1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN 100V 3A IPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19062 Pieces
- Ficha de datos:
- MJD31C1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MJD31C1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MJD31C1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 100V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Tipo de transistor: | NPN |
| Paquete del dispositivo: | I-Pak |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 1.56W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Otros nombres: | MJD31C1G-ND MJD31C1GOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 2 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MJD31C1G |
| Frecuencia - Transición: | 3MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-Pak |
| Descripción: | TRANS NPN 100V 3A IPAK |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 10 @ 3A, 4V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 50µA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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