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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2SD1207T-AE
2SD1207T-AE
Número de pieza:
2SD1207T-AE
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN 50V 2A 3MP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15199 Pieces
Ficha de datos:
2SD1207T-AE.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 50mA, 1A
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:3-MP
Serie:-
Potencia - Max:1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres:2SD1207T-AE-ND
2SD1207T-AEOSTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:2SD1207T-AE
Frecuencia - Transición:150MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 150MHz 1W Through Hole 3-MP
Descripción:TRANS NPN 50V 2A 3MP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 100mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

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