MBR600100CTR
MBR600100CTR
Número de pieza:
MBR600100CTR
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19361 Pieces
Ficha de datos:
1.MBR600100CTR.pdf2.MBR600100CTR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:880mV @ 300A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):100V
Paquete del dispositivo:Twin Tower
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:Twin Tower
Otros nombres:MBR600100CTRGN
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:MBR600100CTR
Descripción ampliada:Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 100V 300A Chassis Mount Twin Tower
Tipo de diodo:Schottky
configuración de diodo:1 Pair Common Anode
Descripción:DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Corriente - Fuga inversa a Vr:1mA @ 20V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):300A
Email:[email protected]

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