MBR60035CTL
MBR60035CTL
Número de pieza:
MBR60035CTL
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17100 Pieces
Ficha de datos:
MBR60035CTL.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:600mV @ 300A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):35V
Paquete del dispositivo:Twin Tower
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:Twin Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:MBR60035CTL
Descripción ampliada:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 300A Chassis Mount Twin Tower
Tipo de diodo:Schottky
configuración de diodo:1 Pair Common Cathode
Descripción:DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
Corriente - Fuga inversa a Vr:3mA @ 35V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):300A
Email:[email protected]

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