Comprar JAN1N5418 con BYCHPS
Compre con garantía
JAN1N5418
- Número de pieza:
- JAN1N5418
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16301 Pieces
- Ficha de datos:
- JAN1N5418.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JAN1N5418, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JAN1N5418 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 400V |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 150ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | B, Axial |
| Otros nombres: | 1086-2090 1086-2090-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | JAN1N5418 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 400V 3A Through Hole |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1µA @ 400V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 3A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de JAN1N5418
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5419US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | Investigación |
|
JAN1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Investigación |
 |
JAN1N5416 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Investigación |
|
JAN1N5420US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Investigación |
|
JAN1N5415 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Investigación |
|
JAN1N5417US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | Investigación |
 |
JAN1N5420 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Investigación |
|
JAN1N5418US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | Investigación |
 |
JAN1N5417 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Investigación |
|
JAN1N5416US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Investigación |
 |
JAN1N5419 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers