IXTP01N100D
IXTP01N100D
Número de pieza:
IXTP01N100D
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18397 Pieces
Ficha de datos:
IXTP01N100D.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:110 Ohm @ 50mA, 0V
La disipación de energía (máximo):1.1W (Ta), 25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:607074
Q1614635
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTP01N100D
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:120pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Depletion Mode
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Tc)
Email:[email protected]

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