Comprar IRF8113PBF con BYCHPS
Compre con garantía
IRF8113PBF
- Número de pieza:
- IRF8113PBF
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19137 Pieces
- Ficha de datos:
- IRF8113PBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRF8113PBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRF8113PBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | SP001572234 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRF8113PBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2910pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 36nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 17.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRF8113PBF
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
STSJ50NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC | Investigación |
 |
IRF8113TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | Investigación |
|
IRF8113GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | Investigación |
|
IRF8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | Investigación |
|
IRF8113GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | Investigación |
 |
AOB264L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 19A TO263 | Investigación |
|
FDB3682 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB | Investigación |
 |
IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | Investigación |
 |
STB60N55F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Investigación |
|
IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers