Comprar IXFN240N15T2 con BYCHPS
Compre con garantía
IXFN240N15T2
- Número de pieza:
- IXFN240N15T2
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 150V 240A SOT227
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17882 Pieces
- Ficha de datos:
- IXFN240N15T2.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFN240N15T2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFN240N15T2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-227B |
| Serie: | GigaMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 5.2 mOhm @ 60A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 830W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IXFN240N15T2 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 32000pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 460nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 150V 240A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 150V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 240A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXFN240N15T2
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 | Investigación |
|
IXFN24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B | Investigación |
|
IXFN210N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | Investigación |
|
IXFN27N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN210N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 | Investigación |
|
IXFN24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN21N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN230N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN280N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN280N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | Investigación |
|
IXFN26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers